简介： 本发明提供一种对温度、时间等处理条件的管理容易，且体积电阻率的面内分布极少的铌酸锂(LN)基板及其制造方法。上述制造方法是使用通过切克劳斯基法培育出的铌酸锂单晶来制造铌酸锂单晶基板的方法，其特征在于，将单晶中的Fe浓度为大于1000质量ppm且2000质量ppm以下并被加工成基板状态的铌酸锂单晶埋入Al粉末或者Al和Al2O3的混合粉末中，在550℃以上且600℃以下的温度进行热处理，从而制造出体积电阻率被控制在1×108Ω·cm以上且1×1010Ω·cm以下的范围的铌酸锂单晶基板。