简介： 本发明的课题在于在不妨碍初始充电容量的值 的情况下，大幅度地改善作为其缺点的初始效率低的情况，上 述初始充电容量为将SiO用于负极(30)的锂蓄电池中特有的。 而且能够改善循环特性。为了实现这些效果，在集电体(31)的 表面上，作为负极活性物质层(32)，形成通过真空蒸镀或溅射 形成的氧化硅的薄膜。最好，通过离子电镀法形成薄膜。氧化 硅为SiOx(0.5≤x＜1.0＝，膜厚在0.1～50μm的范围内。真空 蒸镀源采用磨损试验的重量减少率(磨损值)在1.0％或以下的 SiO析出体。在真空蒸镀时，在真空中或惰性气氛中对集电体 (31)的表面清洁处理后，在不暴露于大气气氛中形成氧化硅的 薄膜。