简介： 本发明属于微纳制造相关技术领域，其公开了一种自供能钙钛矿光电探测器及其制备方法，所述光电探测器包括玻璃基底、CsPbIBr₂光敏薄膜、PMMA修饰层及Ag电极层，所述玻璃基底包括基底及设置在所述基底上的ITO导电层，所述CsPbIBr₂光敏薄膜设置在所述ITO导电层上；所述PMMA修饰层设置在所述CsPbIBr₂光敏薄膜远离所述ITO导电层的表面上，所述Ag电极层设置在所述PMMA修饰层远离所述CsPbIBr₂光敏薄膜的表面上。本发明的生产成本和工艺复杂性相较其他钙钛矿光电探测器更；且PMMA修饰层的引入有利于进一步钝化CsPbIBr₂光敏薄膜的缺陷，提高载流子传输速率及减少不利的非辐射复合损失，从而提高光电探测器的灵敏度和响应速率。