简介:
本发明公开了一种稳定的高性能钙钛矿光电探测器,包括基底、钙钛矿材料光吸收层、2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩有机半导体层以及电极四部分。本发明的制备方法,包括以下步骤:基底准备与清洗、处理;配制钙钛矿材料前驱体溶液;使用旋涂、刮涂及印刷方式制备钙钛矿材料薄膜,得到高质量钙钛矿材料光吸收层;配制2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩溶液;使用旋涂、刮涂及印刷方式在钙钛矿光吸收层上沉积制备2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩有机半导体层;采用蒸镀制备电极。本发明的产品具有响应时间快、光响应度高、空气中稳定等优点,具有重要的应用前景。
本发明公开了一种稳定的高性能
钙钛矿光电探测器,包括基底、钙钛矿材料光吸收层、2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩有机半导体层以及电极四部分。本发明的制备方法,包括以下步骤:基底准备与清洗、处理;配制钙钛矿材料前驱体溶液;使用旋涂、刮涂及印刷方式制备钙钛矿材料薄膜,得到高质量钙钛矿材料光吸收层;配制2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩溶液;使用旋涂、刮涂及印刷方式在钙钛矿光吸收层上沉积制备2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩有机半导体层;采用蒸镀制备电极。本发明的产品具有响应时间快、光响应度高、空气中稳定等优点,具有重要的应用前景。