简介： 一种提高铌酸钾锂单晶片中锂含量的方法，包括 如下具体步骤：在铂金坩埚内，放置带气孔的K2O、Li2O和Nb2O5混合料块；将双面抛光或单面抛光的铌酸钾锂晶片置于或悬于铂金丝上，加上覆盖有K2O、Li2O和Nb2O5混合粉料和热电偶的坩埚盖，坩埚顶部加铂金盖密闭，置于电阻炉中；该电阻炉加热升温至800～1200℃，恒温50～100小时，Li2O扩散到铌酸钾锂晶片中，缓慢降温，从而提高了铌酸钾锂晶片中Li含量。本发明克服了高Li含量的铌酸钾锂晶体难以生长的问题，可用于半导体近红外激光倍频。