简介:
本发明提供了一种基于ReSe2/CsPbI3钙钛矿量子点杂化的宽谱光电探测器,包括SiO2/Si基底以及设置于SiO2/Si基底上的对电极,所述对电极之间设置成沟道;所述沟道上设置有ReSe2/CsPbI3异质结层,且所述ReSe2/CsPbI3异质结层延伸至与对电极连接,所述ReSe2/CsPbI3异质结层包括二维ReSe2纳米片以及设置于所述二维ReSe2纳米片上的CsPbI3钙钛矿量子点。本发明基于ReSe2/CsPbI3钙钛矿量子点杂化的宽谱光电探测器在可见光波段借助于CsPbI3钙钛矿量子点的光生电子效应表现出各向同性的特征,而在近红外波段CsPbI3钙钛矿量子点可视作透明材料,借助于二硒化铼纳米片的光生电子效应和各向异性效应,从而表现出各向异性特性。本发明还提供了基于ReSe2/CsPbI3钙钛矿量子点杂化的宽谱光电探测器的制备方法。
本发明提供了一种基于ReSe2/CsPbI3
钙钛矿量子点杂化的宽谱光电探测器,包括SiO2/Si基底以及设置于SiO2/Si基底上的对电极,所述对电极之间设置成沟道;所述沟道上设置有ReSe2/CsPbI3异质结层,且所述ReSe2/CsPbI3异质结层延伸至与对电极连接,所述ReSe2/CsPbI3异质结层包括二维ReSe2纳米片以及设置于所述二维ReSe2纳米片上的CsPbI3钙钛矿量子点。本发明基于ReSe2/CsPbI3钙钛矿量子点杂化的宽谱光电探测器在可见光波段借助于CsPbI3钙钛矿量子点的光生电子效应表现出各向同性的特征,而在近红外波段CsPbI3钙钛矿量子点可视作透明材料,借助于二硒化铼纳米片的光生电子效应和各向异性效应,从而表现出各向异性特性。本发明还提供了基于ReSe2/CsPbI3钙钛矿量子点杂化的宽谱光电探测器的制备方法。