简介:
本发明属于微纳制造相关技术领域,其公开了一种全无机钙钛矿光电探测器及其制备方法,所述光电探测器包括玻璃基底、CuPc空穴传输层、CsPbBr3钙钛矿薄膜、MoOx修饰层及Ag电极层,所述玻璃基底包括基底及形成在所述基底上的ITO导电层;所述CuPc空穴传输层形成在所述ITO导电层远离所述基底的表面上;所述CsPbBr3钙钛矿薄膜形成在所述CuPc空穴传输层远离所述ITO导电层的表面上;所述MoOx修饰层形成在所述CsPbBr3钙钛矿薄膜远离所述CuPc空穴传输层的表面上;所述Ag电极层形成在所述MoOx修饰层远离所述CsPbBr3钙钛矿薄膜的表面上。本发明的生产成本低,适用性好,尤其适合大面积器件及器件阵列的高效制备。
本发明属于微纳制造相关技术领域,其公开了一种全无机
钙钛矿光电探测器及其制备方法,所述光电探测器包括玻璃基底、CuPc空穴传输层、CsPbBr
3钙钛矿薄膜、MoO
x修饰层及Ag电极层,所述玻璃基底包括基底及形成在所述基底上的ITO导电层;所述CuPc空穴传输层形成在所述ITO导电层远离所述基底的表面上;所述CsPbBr
3钙钛矿薄膜形成在所述CuPc空穴传输层远离所述ITO导电层的表面上;所述MoO
x修饰层形成在所述CsPbBr
3钙钛矿薄膜远离所述CuPc空穴传输层的表面上;所述Ag电极层形成在所述MoO
x修饰层远离所述CsPbBr
3钙钛矿薄膜的表面上。本发明的生产成本低,适用性好,尤其适合大面积器件及器件阵列的高效制备。