简介： 光电探测器是一种基于光电效应将辐射能转化为电信号的器件，由于光电探测器在人们生活中以及国防建设中发挥重要的作用，其发展十分迅速。现有红外光电探测器主要是基于二维材料、有机聚合物材料以及异质结材料制得的，基于以上材料的制备方法不仅成本高昂，制备工艺复杂，而且对于波长在800nm‑900nm的红外光探测灵敏度低，响应比较慢，很难大规模应用于工业领域。本发明目的在于提供一种对于800nm‑900nm的红外光实现高灵敏探测的光电探测器，解决目前红外探测器制备方法成本高昂以及工艺复杂等问题。上述红外光电探测器包括三层，分别是：衬底层、钙钛矿纳米晶薄膜以及金属电极层。其中钙钛矿纳米晶薄膜是以APbX3纳米晶为基质材料。