简介： 本发明公开了一种无铅全无机钙钛矿铯铋碘薄膜/n‑型硅异质结光电探测器及其制备方法，其是以n‑型硅基底为光电探测器的基区，在n‑型硅基底的下表面设置n‑型硅基底电极；在n‑型硅基底的上表面覆盖绝缘层，在绝缘层上覆盖钙钛矿CsBi₃I₁₀薄膜接触电极，在钙钛矿CsBi₃I₁₀薄膜接触电极上铺设钙钛矿CsBi₃I₁₀薄膜，薄膜一部分与钙钛矿CsBi₃I₁₀薄膜接触电极形成欧姆接触，剩余部分与n‑型硅基底表面未覆盖绝缘层的部分形成异质结。本发明的光电探测器工艺简单、成本低廉、性质稳定、电流开关比大、响应速度快。