简介： 本申请属于光电技术领域，尤其涉及一种p‑i‑n结构钙钛矿基X光探测器及其制备方法。其中，p‑i‑n结构钙钛矿基X光探测器，包括依次叠层贴合设置的p型功能层、钙钛矿活性层和n型功能层，其中，所述钙钛矿活性层包含化学通式为APbZ3的卤化物钙钛矿，其中，A包括碱金属离子或者有机铵离子，Z包括至少一种卤素。本申请提供的p‑i‑n结构钙钛矿基X光探测器，通过p型功能层、钙钛矿活性层和n型功能层的协同作用，可有效抑制器件暗电流，暗电流密度≤1nA/cm2，并且使钙钛矿基X光探测器具有较高的检测灵敏度。