简介： 本发明属于半导体光电探测器技术领域，公开了一种肖特基型钙钛矿光电探测器及其制备方法，其中肖特基型钙钛矿光电探测器包括依次相连的第一金属电极(1)、钙钛矿吸光层(2)、聚酰亚胺PI层(3)和第二金属电极(4)，其中，所述第一金属电极(1)所采用的金属材料功函数较高，所述第二金属电极(4)所采用的金属材料功函数较低。本发明通过肖特基势垒对暗电流有很好的抑制作用；同时又通过在钙钛矿表面旋涂一层聚酰亚胺(PI)薄膜，利用聚酰亚胺(PI)薄膜的对于钙钛矿表面的钝化和阻挡金属与钙钛矿的反应作用来降低钙钛矿光电探测器暗电流和离子迁移，从而有效的抑制钙钛矿光电探测器工作时的暗电流过大和暗电流漂移问题。