简介： 本发明提供一种钙钛矿半导体型X射线探测器，其包括顶电极、钙钛矿吸光层及信号读出薄膜晶体管阵列，还包括第一界面层和第二界面层，第一界面层位于顶电极与钙钛矿吸光层之间，第二界面层位于钙钛矿吸光层与信号读出薄膜晶体管阵列之间。本发明还提供该钙钛矿半导体型X射线探测器的制备方法。本发明的钙钛矿半导体型X射线探测器通过设置第一界面层和第二界面层，有利于钙钛矿吸光层与顶电极以及与信号读出薄膜晶体管阵列的有效接触与附着力提升，有利于提升探测器的信噪比，有利于提高探测器的响应速度，有利于保证钙钛矿探测器性能长期稳定。