简介： 本发明公开了一种用于高能射线探测的铅基卤素无机钙钛矿膜的制备方法，该方法是利用组分调控得到前驱体原料，将这些前驱体原料混合均匀后分散作为多个蒸发源，每个蒸发源中的前驱体原料各元素配比比例保持不变，从而利用同源多分共蒸方法实现气相转移沉积钙钛矿膜的制备。本发明通过在气相转移沉积方法的沉积过程中补入适量的组分原料，同时采用同源多分共蒸的方法，可以制得适用于高能射线探测等用途的无机钙钛矿厚膜，该方法操作简单，制备出的钙钛矿厚膜厚度大、晶粒大、均匀性好且表面覆盖好，可制得性能良好且稳定性优异的半导体探测器。