简介： 本发明属于半导体光电探测技术领域，具体涉及一种基于无铅双钙钛矿薄膜的深紫外光探测器及制备方法。其结构由双面抛光的Al2O3衬底、n型宽带隙电子传输层、Cs2AgBiBr6光吸收层和接触电极构成。本发明一方面克服了传统钙钛矿结构的不稳定性和铅毒性等不利因素，另一方面借助宽带隙电子传输层和Cs2AgBiBr6光吸收层间的能带匹配实现光生载流子的快速分离和传输，同时亦可将器件的光探测范围从可见光扩展到深紫外区域。该器件制备方法简单易行、环境友好，所制备的光电探测器具有高的探测率和响应速度，有非常重要的应用价值。