简介： 本发明涉及一种基于Ga2O3/钙钛矿异质结的光电探测器的制备方法，包括：选取半绝缘半透明衬底；在所述衬底表面淀积形成底电极；在所述底电极表面淀积Ga2O3层；在所述Ga2O3层表面旋涂钙钛矿层；在所述钙钛矿层表面淀积形成顶电极，以完成所述光电探测器的制备。本发明提供的基于Ga2O3/钙钛矿异质结的光电探测器，可以探测从深紫外到近红外的宽范围光谱；具有较高的响应度和探测率，同时具有低的暗电流密度和高的外量子效率；该探测器结构简单、效率高、响应快、工作稳定、使用寿命长，生产成本低，无需昂贵的仪器设备等优点。