简介： 本发明涉及一种高居里点低铅压电陶瓷材料及其制备方法,属于功能陶瓷应用技术领域。用Bi对PZT陶瓷进行取代改性,采用模板晶粒生长法(TGG)制备出一种低铅压电陶瓷材料,并改善其居里温度。其化学式为Bi(Zn1/2Ti1/2)O3-PbTiO3。可以广泛应用于航天、石化、冶金、地质勘探等众多重要科研与工业部门,例如高温加速度计、高温传感器、涡街流量计以及螺栓孔冷胀工艺中的压电装置等。本发明的效果是:在制备过程中用Bi来替代部分Pb,不仅可以有效减少陶瓷中Pb的含量,增加压电陶瓷的环境协调性,而且还增加了材料的居里温度,扩展了其使用范围。