高临界温度超导厚膜磁通变换器
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高临界温度超导厚膜磁通变换器
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简介: 本发明涉及与超导量子干涉器(SQUID)配用的 高Tc超导厚膜磁通变换器,主要包括:衬底、高Tc 超导厚膜螺旋线圈,厚膜回线和中间绝缘层,所用超 导材料是Y系或Bi系氧化物,衬底用ZrO, Al2O2,SiTi3O或MgO材料,中间绝缘层采用 Y2BaCuO,BaCuO,ZrO,Al2O3,SrTi3O,PrBa2Cu3O或 MgO材料,螺线与回线之间可以通过不同方式构成 闭合回路,所述的变换器与SQUID配用可提高磁场 测量灵敏度,适用于医学工程以及计量、地质、生物等 技术领域。
本发明涉及与超导量子干涉器(SQUID)配用的 高Tc超导厚膜磁通变换器,主要包括:衬底、高Tc 超导厚膜螺旋线圈,厚膜回线和中间绝缘层,所用超 导材料是Y系或Bi系氧化物,衬底用ZrO, Al2O2,SiTi3O或MgO材料,中间绝缘层采用 Y2BaCuO,BaCuO,ZrO,Al2O3,SrTi3O,PrBa2Cu3O或 MgO材料,螺线与回线之间可以通过不同方式构成 闭合回路,所述的变换器与SQUID配用可提高磁场 测量灵敏度,适用于医学工程以及计量、地质、生物等 技术领域。
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