简介： 本发明是涉及一种非真空坩埚下降法生长氯化 镧晶体的方法。其特征在于使用高纯含结晶水的 LaCl3原料，并在保持流动的惰 性气氛中和不低于150℃的温度下保温10－20小时，获得无水 氯化镧原料脱水。同时选择具有强还原作用的活性碳粉、硅粉、 氟化铅或四氯化碳中一种作为脱氧剂。脱氧剂的加入既克服了 含水氯化镧原料在高温脱水过程中所产生的氯氧化镧杂质。采 用静止的双温区炉体结构，以微型电机驱动变速装置使坩埚以 可调节的恒定速率下降。该技术在使用过程中具有操作简便、 成本低、性能好和适合大批量生产等特点。本发明所生长的铈 掺杂氯化镧(Ce∶LaCl3)晶体适 用于核医学成像SPECT(单光子正电子发射断层扫描成像)、核 辐射探测、安全检查地质勘探等应用领域。