简介： 本发明公开了一种硒化物纳米棒，属于纳米半导体的制备领域。包括如下步骤：将KOH、SeO₂粉、AgNO₃和In(NO₃)₃溶解于非配位溶剂和少量的乙二胺中，在惰性气体保护下，温度为200～240℃，并剧烈搅拌，保温12～24小时，制备得到硒化物纳米棒。碱在熔融状态下的其氢氧根离子分离成和，然后在非配位溶剂的稀释下，降低其粘度提高其流动性，在熔融碱的这样的碱性环境中In₂Se₃形成纤锌矿结构的晶核，最后通过乙二胺分子在反应混合物中对晶面的竞争性吸附，诱导生长方向，促使In₂Se₃晶核继续吸附和少量的和各向异性生长。解决了在实际使用过程中，本征电导率过低，导致探测器的光谱响应度和外量子效率较低的问题。