简介： 本发明属于发光材料领域，具体涉及一种离子型大位阻锑化物发光材料及其制备方法和应用。其化学式为C66H60X3SbCl6(其中X＝Sb,As,P，优选Sb)。本发明的发光材料在250‑450nm有很宽的激发带，最佳激发峰位于365nm处，可以很好的与商用紫外芯片相匹配，发射出发射峰位于619nm的明亮橙黄色发光。该材料制备方法简单易行、对环境友好，克服了传统铅基钙钛矿材料的毒性和不稳定性；而且此离子型大位阻锑化物发光材料的成本低，反应条件温和，生产周期短，荧光量子产率高，在白光照明和高能射线探测及成像领域具有非常好的发展前景。