简介： 本本发明提供一种新型晶体管的制作方法，将具有介电、铁电、光电、热电、超导、巨磁阻等性能的钙钛矿结构氧化物材料交叉耦合，采用全外延工艺，每层的层厚和载流子浓度都较锗硅晶体管更易控制，结面更锐，加上钙钛矿结构氧化物材料熔点高，稳定性好，钙钛矿结构氧化物晶体管广泛应用于电子器件，尤其是与锰酸镧相关的晶体管对磁场很敏感，与钛酸钡相关的晶体管对热光敏感，因此可制作一些特殊的探测器，也可发展成为钙钛矿结构氧化物集成电路。