基于GaN/CsPbBrxI3-x异质结的光响应型LED及其制备方法和应用
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基于GaN/CsPbBrxI3-x异质结的光响应型LED及其制备方法和应用
来源:北方有色网
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简介: 本发明涉及一种基于GaN/CsPbBrxI3‑x异质结的光响应型LED及其制备方法和应用。本发明的光响应型LED由蓝宝石氮化镓基片、全无机钙钛矿CsPbBrxI3‑x薄膜、铟电极、碳电极组成,是一种In/GaN/CsPbBrxI3‑x/C结构,其中:CsPbBrxI3‑x薄膜中0xI3‑x薄膜层设置在氮化镓层上,同时并列设置铟电极,CsPbBrxI3‑x薄膜层上设置碳电极。本发明CsPbBrxI3‑x薄膜是采用采用低温反溶剂法制得,制得的LED器件可实现自供电可见探测与可见发光的集成,可作为发射端或接收端应用在可见光无线通信中,解决可见光无线通信技术中反向通信的难题。
本发明涉及一种基于GaN/CsPbBrxI3‑x异质结的光响应型LED及其制备方法和应用。本发明的光响应型LED由蓝宝石氮化镓基片、全无机钙钛矿CsPbBrxI3‑x薄膜、铟电极、碳电极组成,是一种In/GaN/CsPbBrxI3‑x/C结构,其中:CsPbBrxI3‑x薄膜中0xI3‑x薄膜层设置在氮化镓层上,同时并列设置铟电极,CsPbBrxI3‑x薄膜层上设置碳电极。本发明CsPbBrxI3‑x薄膜是采用采用低温反溶剂法制得,制得的LED器件可实现自供电可见探测与可见发光的集成,可作为发射端或接收端应用在可见光无线通信中,解决可见光无线通信技术中反向通信的难题。
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标签:探矿技术
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