简介： 本发明涉及一种ZnSe纳米线及其制备方法和应用，该ZnSe纳米线沿< 100> 晶向生长，具有闪锌矿结构，其平均直径为20‑80nm，长度为0.5‑10μm，尺寸均匀，结晶度良好，无堆垛层错等结构缺陷。本发明通过将ZnSe粉末作为反应前驱物，以金作为催化剂，利用化学气相沉积法在FTO导电玻璃或SnO2单晶基片衬底上生长得到ZnSe纳米线。该纳米线可用于构建太阳能电池、光电探测器、纳米激光器等光电子器件，尤其在太阳能光电催化分解水制氢方面表现优异，具有良好的应用前景。