简介： 本发明公开了一种基于GaN/CsPbBr3异质结的光响应型LED及其制备方法，它是由蓝宝石氮化镓基片、全无机钙钛矿CsPbBr3薄膜、铟电极、碳电极组成，是一种In/GaN/CsPbBr3/C结构，其制备方法为选取蓝宝石GaN基片并清洗，制备In底电极，反溶剂辅助生成全无机钙钛矿CsPbBr3多晶薄膜，制备碳顶电极，完成后，即为制作成的一个完整LED器件。在无外加偏压时，是实现波长范围在350nm～550nm的光探测；在正向偏压下，能够发射出峰值位于525nm的绿光。本发明工艺简单，成本低，双功能效果好。