简介： 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种光敏薄膜晶体管及其低温制备方法。本发明光敏薄膜晶体管采用钙钛矿量子点作为光敏材料，通过改变钙钛矿量子点中卤族元素的比例，可以使器件对不同波长的光产生响应；同时，该光敏薄膜晶体管所制备方法含括：原子层沉积制备Al₂O₃栅介质，磁控溅射生长非晶铟镓锌氧化物（a‑IGZO）沟道层，旋涂法制备钙钛矿量子点，电子束蒸发制备源漏电极；所有工艺长温度均不超过40℃，且器件制备过程中无需进行热处理，即可得到高性能光敏薄膜晶体管。本发明可应用于柔性电子和光电探测等领域。