简介： 本发明涉及一种基于可控微界面消除法处理的MAPbI₃网状纳米线及其制备方法和在光电探测器中的应用。所述MAPbI₃网状纳米线是利用可控微界面消除法处理得到的。本发明方法有效地消除了MAPbI₃网状纳米线中的微界面，实现了高性能和高稳定性的MAPbI₃网状纳米线光电探测器的制备，制得的探测器响应度、探测度、响应时间、以及线性检测范围等性能参数与基于MAPbI₃单根纳米线或者MAPbI₃纳米线阵列所制备的光电探测器的性能相近，在某些方面还要更优。另外，本发明制备过程简单易重复，制备成本低廉，适合大面积大规模工业化生产，为钙钛矿光电器件的商业化发展提供了强大的动力。