简介： 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种膜层及其沉积方法、半导体结构及其形成方法。所述膜层沉积方法包括如下步骤：提供一介质层；传输前驱气体和反应气体至所述介质层表面，形成覆盖于所述介质层表面的膜层和副产物；除去所述副产物，推动所述前驱气体与所述反应气体之间的化学反应正向进行。本发明提高了生成的膜层的纯度，减少了所述膜层中夹杂的副产物，改善了膜层的结构稳定性和抗掺杂能力，确保了最终生成的半导体器件结构的良率。