简介： 本发明公开了一种锰钴铜体系非线性负温度系数(NTC)厚膜电子浆料的制备方法，包括以下步骤：①将下述化合物按摩尔组分比混合：乙酸锰1.1～1.85，硝酸钴0.5～0.95，硫酸铜0.6～0.9；②根据配方配置浓度一定的反应前含锰钴铜离子的水溶液，然后在一定温度和搅拌速度下加入碳酸钾溶液共沉淀；③沉淀物用去离子水反复清洗并过滤烘干后，在一定温度下加热分解生成NTC陶瓷前驱物；④将NTC陶瓷前驱物与一定比例的玻璃粉进行高速球磨混合；⑤加入一定量的有机载体轧制成浆料。本发明不仅可研制出超低方阻的NTC浆料配方，烧结后室温电阻率在5～50Ω.cm之间，应用该浆料制备的NTC器件阻值可低至1～5Ω，B值在2000K以上，本发明所提供的技术方案对低阻厚膜NTC浆料的工业化生产具有重要实用价值。