简介： 本发明公开一种量子点薄膜及其制备方法和应用，其中，所述量子点薄膜包括介质以及分散在所述介质中的量子点，所述量子点包括量子点核，包覆所述量子点核的金属层，包覆所述金属层的半导体壳层，其中，所述金属层中的金属元素选自Zn、Hg、Al、Ga和In中的一种或多种。本发明解决了现有无镉量子点薄膜发光效率不高的问题。