简介： 本发明公开了一种具有选择性探测功能的自供电人造光电突触及其制备方法，顺序地在SiO2/Si衬底上生长一层聚合物介电层和两层不同的超薄半导体光响应层，其中上层超薄半导体光响应功能层半覆盖在下层超薄半导体光响应层上形成非对称异质结，然后利用非侵入性金膜转移工艺将金膜分别转移到下层和上层半导体光响应功能层上作为源极和漏极，完成具有选择性探测功能的自供电人造光电突触的制备。本发明的具有选择性探测功能的自供电光电突触通过耦合光伏效应和界面电荷捕获行为，可以实现在不加任何电压的情况下选择性地探测并处理紫外光，同时在加电压的情况下具有宽谱探测的能力，可以模拟视网膜的感知以及信号处理功能。