简介:
本发明揭示了一种干法转印光刻胶制备微纳结构的方法。本发明通过对衬底进行修饰以降低光刻胶与衬底的粘附力,然后在光刻胶上曝光并显影得到所需的结构,再利用黏贴层选择性的把光刻胶从衬底上剥离,把剥离下来的光刻胶转移释放到所需要的衬底上,然后镀金属并lift‑off处理,本发明突破了传统加工对衬底材料,形状和尺寸的限制,可实现任意衬底上微纳结构的制备。
本发明揭示了一种干法转印光刻胶制备微纳结构的方法。本发明通过对衬底进行修饰以降低光刻胶与衬底的粘附力,然后在光刻胶上曝光并显影得到所需的结构,再利用黏贴层选择性的把光刻胶从衬底上剥离,把剥离下来的光刻胶转移释放到所需要的衬底上,然后镀金属并lift‑off处理,本发明突破了传统加工对衬底材料,形状和尺寸的限制,可实现任意衬底上微纳结构的制备。