简介： 本发明提供了一种反型QLED器件的制备方法，包括以下步骤：提供阴极和置换配体溶液；在所述阴极上沉积量子点预制薄膜，所述量子点预制薄膜由表面含有初始配体的量子点组成，将所述量子点预制薄膜与所述置换配体溶液中的置换配体进行原位配体交换，将所述初始配体置换为置换配体，得到量子点发光层，其中，所述置换配体至少含有两个活性官能团；在所述量子点发光层表面制备空穴功能层；在所述空穴功能层上制备阳极。