简介： 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底上形成有待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成图形化的有机掩膜层；在所述有机掩膜层的表面形成无机保护层，所述无机保护层和所述有机掩膜层用于构成掩膜结构层；以所述掩膜结构层为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层。本发明通过所述无机保护层，提高了所述掩膜结构层的耐刻蚀性，后续以所述掩膜结构层为掩膜刻蚀所述待刻蚀层时，能够减缓刻蚀所述待刻蚀层的工艺对所述有机掩膜层的损耗，防止所述有机掩膜层过早地被完全消耗，使所述有机掩膜层能够在刻蚀所述待刻蚀层的过程中起到应有的掩膜作用，从而有利于提高图形化工艺的工艺稳定性和工艺效果。