简介： 本发明提供一种用于生长LaBSiO5晶体或激活离子掺杂LaBSiO5晶体的方法，采用熔盐法制备，熔盐体系中包括LaBO3、Li2MoO4、SiO2化合物。用x1、x2、x3 分别表示体系中LaBO3、Li2MoO4和SiO2的摩尔百分含量，则这三种化合物的含量比需满足：0< x1< 0.3, 0.7≤x2< 1, 0< x3< 0.3且x1+x2+x3=1；晶体的生长温度区间为1000℃‑850℃。在制备LaBSiO5晶体时，可向其中掺杂Y3+、Tm3+、Eu3+离子等，这些激活离子替代晶格中的La3+或者B3+离子，从而制备出激活离子掺杂的LaBSiO5晶体。涉及光电子功能材料技术领域。