简介： 本发明的提出了一种基于氧化镓的三维日盲光电探测器，为高性能3D日盲光电探测器的制备和研究奠定基础。本发明是按照下述步骤进行的：(1)清洗柔性衬底；(2)采用射频磁控溅射技术在柔性衬底上室温沉积a‑Ga₂O₃薄膜；(3)在a‑Ga₂O₃薄膜上利用热蒸发技术在上面蒸发一层金属薄膜；(4)采用光刻技术在有金属薄膜的a‑Ga₂O₃上制备电极，得到具有MSM结构的2D光电探测器阵列；(5)采用剪切折叠技术，把2D光电探测器阵列制备成3D光电探测器。本发明利用简单的剪切和折叠技术制备3D日盲光电探测器。该制备方法工艺简单、成本低廉，而且选用非晶Ga₂O₃作为日盲光响应层，有效改善了在弯折过程中，功能材料的断裂和脱离现象。