简介： 本发明属于功能材料技术领域，具体涉及一种在薄膜材料中兼容远红外透明与导电性能的方法，通过设计光频介电常数大于15的介质薄膜，并引入浓度为25‑35％的阴离子空位以实现远红外透明与导电性能的兼容；具体通过制备菱方相的Bi2Tex材料来获得光频介电常数大于15的介质薄膜，Bi2Tex材料的制备工艺包括如下步骤：将纯Bi2Te3靶安装在磁控射频溅射靶中，采用硅片或硫化锌片作为衬底；抽真空度，通入高纯Ar气；控制纯Bi2Te3靶的溅射功率，在基底上沉积；沉积得到薄膜材料后，采用管式炉退火。本发明方法设计科学合理，相比较于传统通过调控载流子浓度或有效质量方法，其能够在薄膜材料中很好地实现兼容远红外透明与导电性能。