简介： 本发明提出了一种基于卤化铅的阻变存储器及其制备方法，其具体结构为三明治结构，FTO、ITO、ZTO作为基片和底电极，卤化铅薄膜作为阻变层，Pt、Au、W作为顶电极。本发明采用了一种新型的阻变功能材料卤化铅，它具有成分简单、易于成膜、在空气中化学性能稳定的特点。以卤化铅作为阻变层制备的阻变存储器单元，具有高低阻态比值窗口大、电学性能稳定、制备工艺简单、成本低廉、安全可靠，同时无环境污染的特点，它的存储窗口值达到了103以上。具有良好的循环耐受性，在多次重复擦写之后仍然具有良好的阻变性能。本发明具有较好的发展潜力和应用价值。