简介： 本发明涉及半导体、电子功能材料领域，公开了一种提高晶界层电容器电阻的绝缘化剂及其使用方法，所述绝缘化剂中包括Pb₃O₄、CuO、B₂O₃，并用新的氧化剂CBi₂O₅替代了Bi₂O₃，将CBi₂O₅、Pb₃O₄、CuO、B₂O₃按一定质量比混合制成新的绝缘化剂，并通过瓷片绝缘化的过程，使用绝缘化剂，得到电阻值更高的电容器瓷片，提高电容器的性能。