简介： 本发明属于光电子信息功能材料技术领域，具体涉及一种Ga掺杂ZnO透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：称取ZnO粉末和Ga2O3粉末，其中Ga占总粉末的摩尔百分含量为1~3%，将称取的粉末经预烧结和烧结处理，制得Ga掺杂ZnO靶材；将衬底和制得的靶材装入磁控溅射镀膜机中，将溅射室抽真空，通入氩气，控制工作压强为0.1~0.5Pa；将衬底的温度升至300~600℃，控制溅射功率为80~120W，进行镀膜处理，制得Ga掺杂ZnO透明导电薄膜，本发明的制备方法可大面积规模化生产、工艺简单、成本低，制得的透明导电薄膜表面平整致密，粗糙度较小，电阻率低，透过率高，性能稳定，应用前景广阔。