简介： 本发明公开了一种降低二氧化钒薄膜相变温度的方法，包括以下步骤：1)制备出具有相变功能的M相二氧化钒薄膜，所述M相二氧化钒薄膜形成于基板上；2)将步骤1)制备的M相二氧化钒薄膜样品置于退火装置中，将退火装置抽真空至真空度为200～2000Pa后保持真空度不变或者抽真空至真空度为200～2000Pa后通入惰性气体至标准大气压，再升温至280～320℃，保温时间为0.5～3h，然后随炉自然冷却至室温，即可得到相变温度降低的二氧化钒薄膜。本发明能够降低纯氧化钒薄膜的相变温度，也能降低掺杂氧化钒薄膜的相变温度，具有非常广阔的使用范围。此外，本发明处理温度低，工艺简单，安全性好，在高端光电功能材料领域具有广阔的应用前景。