简介： 本发明通过一种在溶液中生长Ge基钙钛矿单晶的方法及其应用，实现了基于混合酸溶液的钙钛矿单晶的制备，可用于AGeX3(A＝Rb、Cs，X＝Cl、Br、I)毫米级单晶的生长。该方法以氧化锗和卤化氢的水溶液、次磷酸混合反应并加入卤化铯或卤化铷的水溶液，加热至饱和后以卤化氢的水溶液及次磷酸为溶剂进行单晶静置生长一周后即可得到毫米级单晶。本发明针对Ge基钙钛矿在传统溶剂(DMSO/DMF)中难溶的问题提供了解决办法。并且该方法合成简单，成本低廉，合成的单晶质量高、尺寸大、缺陷密度低。通过改变X位的卤素配比可调控带隙，应用在太阳能电池、探测器、非线性光学等领域。