简介： 本发明公开了一种二维钙钛矿单晶的制备方法，该发明利用液面限制法生长单晶，借助前驱体溶剂层本身的厚度使单晶体能够再厚度方向上的生长受到抑制，在厚度方向液面限制的同时不影响晶体在其他方向的生长，可得到厚度可控的大尺寸的钙钛矿单晶。其次，通过液面而不是基板限制其厚度减少了钙钛矿单晶与基板的接触，从而减少了单晶的缺陷。此外，前驱体液可扩散进入限制相溶剂之中并挥发，提高前驱液浓度并促进长大，相比于逆温生长法所需温度低，生长缓慢，保证了结晶质量，使得制备的光探测器表面陷阱密度更低，表现出卓越的光电性能。所述的超薄的钙钛矿单晶体在光电领域具有良好的应用前景。