简介： 本发明涉及一种制备硒化镉纳米带的方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明采用双坩埚法，将静电纺丝技术与硒化技术相结合，制备了CdSe纳米带。本发明包括三个步骤：(1)配制纺丝液；(2)制备CdO纳米带，采用静电纺丝技术制备PVP/Cd(NO3)2复合纳米带，在空气中进行热处理得到CdO纳米带；(3)制备CdSe纳米带。采用双坩埚法，在氩气保护下用硒粉对CdO纳米带进行硒化处理，得到CdSe纳米带，具有良好的晶型，宽度为2.1560±0.2014μm，厚度为618nm，长度大于50μm。硒化镉纳米带是一种重要的功能材料。本发明的制备方法简单易行，可以批量生产，具有广阔的应用前景。