简介： 本发明公开一种铜铟镓硒（Cu(In,Ga)Se2）薄膜表面修饰的方法，涉及光电功能材料和新能源技术领域。本发明的特点在于：在铜铟镓硒薄膜上沉积一定厚度的金属薄膜或合金薄膜，再将其置于反应性气氛下高温退火，沉积的金属或合金与铜铟镓薄膜表面的铜硒二次相(CuxSe)反应形成宽带隙的铜硒多元金属化合物，达到除去CuxSe的目的。该表面修饰方法避免了传统修饰方法采用KCN刻蚀CuxSe有剧毒不环保的缺点，具有成本低、重现性好和适合薄膜大面积生长等优点，可实现薄膜表面带隙宽度的提高和梯度带隙的形成，且明显降低pn结界面复合,有效提高器件的开路电压。