简介： 本发明公开一种钙钛矿薄膜的制备方法，属于半导体电子薄膜技术领域；本发明经过La0.7Ca0.3MnO3:Ag0.2多晶陶瓷靶材的制备、薄膜材料的制备、薄膜材料后退火处理制得钙钛矿薄膜；本发明方法制备的钙钛矿薄膜电阻率值低，金属‑绝缘体转变温度（Tp）更接近室温，电阻温度系数（TCR）更大，能够更广泛的应用于近室温磁电子器件、超巨磁电阻测辐射热仪、红外探测器等器件。