简介： 本发明属于Bi2O2Se二维功能材料的生长工艺技术领域，具体涉及一种实现Bi2O2Se微米梯台的化学气相沉积的制备方法，本发发明突破了现在基底及制备工艺生长Bi2O2Se的局限性，选用具有较大晶格差异的(0001)取向Al2O3基片作为衬底，综合控制气体流速、前驱物‑基片的间距、沉积气压、成核时间和温度以及生长时间和温度等参数，结合高温扩散成核、低温结晶生长的制备技术，实现了形状和尺寸可控的Bi2O2Se微米梯台的制备。该方法能够通过综合调控生长条件，获得平面生长、倾斜生长的Bi2O2Se微米梯台，横向尺寸从几微米到几十微米可控。本发明具有参数控制简便，重复性高，无毒害废气排放的优点。