简介： 本发明涉及一种低温等离子硫化制备硫化锑薄膜的方法，属于光电功能材料技术领域。本发明先制备金属锑、氧化锑或氢氧化锑的薄膜，再采用低温等离子发生器对固体硫源进行低温等离子化形成等离子态硫，等离子态硫对薄膜进行低温等离子硫化处理得到硫化锑薄膜。本发明在惰性气体环境下，将惰性气体经过电场作用等离子化后获得高活性的惰性气体离子和电子，高活性惰性气体离子、电子与固体硫源相互碰撞，生成等离子态硫；各种粒子之间的相互碰撞带来的环境温度升高增加了固体硫源的热运动，又进一步促进了等离子态硫的生成。等离子态硫由于具有较高活性，可快速实现薄膜的硫化得到硫化锑薄膜。本发明硫化锑薄膜成分均匀、结构平整、致密、晶粒尺寸大。