简介： 一种各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备方法， 涉及功能材料薄膜的制备，特别是涉及制备磁电阻薄膜。本方 法是在清洗干净的玻璃基片上或单晶硅基片上沉积镍铁Ni0.81Fe0.19薄膜，将(Ni0.81Fe0.19)xCr1－x层作为种子层，x值介于0.13～0.53之间；沉积的顺序依次是1.0～12.0nm厚度的镍铁铬(Ni0.81Fe0.19)xCr1－x、10.0～200.0nm厚度的镍铁Ni0.81Fe0.19和5.0～9.0nm钽Ta。本发明由于采用体心结构的NiFeCr作为坡莫合金薄膜的一种新型种子层，其各向异性磁电阻AMR值比以传统的Ta为种子层时明显提高，最大可达34％，具有制备方便、不需要高温沉积和磁场热处理、成本低等优点。