简介： 本发明的目的是提供一种新型的白光发光元器件的制备方法。该方法的创新点在于器件的材料选用氮化铝晶体，器件结构采用简单的三明治层叠结构。传统的白光半导体器件采用掺杂的外延氮化镓薄膜作为发光层，再配合荧光粉二次激发混合成白光输出。本发明的新方法直接采用气相传输法制备的氮化铝晶体材料作为功能材料，在晶体上制备电极后直接通电发光。该方法实现单一材料的白光输出，无需荧光粉的二次转换，因此器件结构更加简单紧凑，晶体材料的功能层也能承载更大的功率。由于利用宽紧带半导体氮化铝材料禁带内的缺陷发光，丰富的缺陷能级导致器件的发射光谱十分丰富，能完全覆盖整个可见光区域，光色品质也非常出色。