简介:
本发明描述了一种钙钛类ABO3结构中的反铁磁分子材料(AFM)与钙钛类ABO结构中的四方相铁电分子材料(FET)复合的电子功能材料(AFF),其化学和物理主要特征如下:复合的AFF可形成Bafm-O-Bfet结构键接,B位置元素具有变价特性,当与FET的A位置上主价位不相同的原子Afet相近时,发生变价,Bafm和Afet主价之和依然相等;同理,A位置元素具有变价特性,当与FET的B位置上主价位不相同的原子Bfet相近时,发生变价,Aafm和Bfet主价之和依然相等;这种结构在常温下,可以表现出很大的磁电阻变化,一定的抗磁性,以及低的热损耗。
本发明描述了一种钙钛类ABO3结构中的反铁磁分子材料(AFM)与钙钛类ABO结构中的四方相铁电分子材料(FET)复合的电子
功能材料(AFF),其化学和物理主要特征如下:复合的AFF可形成Bafm-O-Bfet结构键接,B位置元素具有变价特性,当与FET的A位置上主价位不相同的原子Afet相近时,发生变价,Bafm和Afet主价之和依然相等;同理,A位置元素具有变价特性,当与FET的B位置上主价位不相同的原子Bfet相近时,发生变价,Aafm和Bfet主价之和依然相等;这种结构在常温下,可以表现出很大的磁电阻变化,一定的抗磁性,以及低的热损耗。